英特爾 EMIB-T 為 HBM4 / UCIe 優化，2028 年有望單封裝集成超 24 顆 HBM

IT之家 4 月 30 日消息，綜合英特爾官方演講內容和德媒 Hardwareluxx 編輯 Andreas Schilling 拍攝的現場照片，2025 Intel Foundry Direct Connect（英特爾代工大會）介紹了英特爾 2.5D 橋接先進封裝技術 EMIB 的一系列進展。

英特爾在活動上公布了 EMIB 技術的新變體 —— EMIB-T，其中 T 指的應是 TSV 硅通孔；此外還有分別采用 RDL 重布線層和 Bridge 橋片的 Foveros-R、Foveros-B 封裝。

這一面向 HBM4、UCIe 芯片集成的工藝通過 TSV 和 M Bridge 技術在基板中構建垂直的電力通道，而不會像傳統方案一樣需要“繞路”。這意味著 EMIB-T 可實現更低的直流 / 交流電噪聲，有利于信號傳輸的穩定性。

英特爾表示 EMIB-T 支持從其它 2.5D 先進封裝技術遷移，同時這一過程無需重大重新設計。

對于未來的 EMIB，英特爾預告其到 2026 年可通過超過 20 個 EMIB 橋實現約 120mm×120mm 的總封裝尺寸，集成 12 個 HBM 內存堆棧；而到 2028 年，封裝尺寸將進一步擴展到 120mm×180mm，HBM 數量將超過 24 個。