消息稱 I/O 翻倍影響 HBM4 DRAM Die 面積，初期 12Hi 堆棧超 600 美元

IT之家 6 月 10 日消息，韓媒 the bell 當(dāng)?shù)貢r間昨日報道稱，由于 HBM4 內(nèi)存的 I/O 數(shù)量較此前產(chǎn)品翻倍至 2048，在 HBM4 DRAM 上沿用 1b 工藝的 SK 海力士和美光不得不擴(kuò)大 DRAM Die 的面積，降低了單晶圓上可生產(chǎn)的 HBM DRAM Die 數(shù)量。

不過對于三星電子而言，由于其 HBM4 內(nèi)存的 DRAM Die 工藝將從前代的 1a nm 升級兩代到 1c nm，預(yù)計單晶圓 DRAM Die 產(chǎn)量仍將有所提升。但考慮到工藝復(fù)雜度的變化，三星的 HBM4 實際成本也將增加。

業(yè)界消息預(yù)計，HBM4 內(nèi)存的早期規(guī)格 12Hi 36GB 的市場售價將超過 600 美元（IT之家注：現(xiàn)匯率約合 4311 元人民幣），形成較同容量 HBM3E 的明顯溢價。