三星 2nm 良率被曝提至 40%，首發(fā)芯片 Exynos 2600 計(jì)劃 11 月量產(chǎn)

IT之家 4 月 12 日消息，韓媒 asiae 于 4 月 10 日發(fā)布博文，消息稱三星計(jì)劃 2025 年 11 月量產(chǎn)首款采用 2 納米工藝的 Exynos 2600 芯片。若 Galaxy S26 機(jī)型能順利搭載 Exynos 2600，三星有望借此展示 2 納米技術(shù)實(shí)力，吸引更多客戶。

IT之家援引博文介紹，新任 Foundry 事業(yè)部負(fù)責(zé)人韓真晚（Han Jinman）上任后取得重大進(jìn)展。他上任僅四個(gè)月，便著手優(yōu)化生產(chǎn)良率并調(diào)整經(jīng)營策略，全面檢視了 2 納米工藝的生產(chǎn)線和運(yùn)營模式，不僅鞏固技術(shù)優(yōu)勢，還拓寬了市場布局。

他積極拓展三星的客戶群，從北美大廠擴(kuò)展至中國、印度和歐洲的設(shè)計(jì)公司，增加成熟制程訂單，以降低固定成本并提升先進(jìn)制程的競爭力。

Exynos 2600 芯片采用 Gate-All-Around（GAA）技術(shù)，相較傳統(tǒng) FinFET 工藝更先進(jìn)。這種技術(shù)通過四面環(huán)繞晶體管結(jié)構(gòu)，提升芯片性能并降低功耗，適合高性能芯片需求。

三星此前已率先實(shí)現(xiàn) 3 納米 GAA 量產(chǎn)，但受限于低良率，未能扭轉(zhuǎn)代工業(yè)務(wù)的虧損局面。據(jù)悉，2 納米工藝的良率已從年初的 20-30% 提升至 40% 以上，遠(yuǎn)超 3 納米時(shí)期的表現(xiàn)。

業(yè)界認(rèn)為，若 Exynos 2600 按計(jì)劃搭載于 2026 年一季度發(fā)布的 Galaxy S26，將為三星代工業(yè)務(wù)注入強(qiáng)心劑，助力吸引外部客戶。

然而，三星與行業(yè)龍頭臺(tái)積電的差距依然明顯。臺(tái)積電的 2 納米初期良率已達(dá) 60%，而量產(chǎn)通常需良率穩(wěn)定在 70-80%。三星需在下半年進(jìn)一步優(yōu)化工藝，以縮小差距。

根據(jù) TrendForce 數(shù)據(jù)，2024 年第四季度，臺(tái)積電市場份額達(dá) 67.1%，三星僅為 8.1%，首次跌至個(gè)位數(shù)。

面對(duì)挑戰(zhàn)，韓真晚提出“技術(shù)提升”和“客戶拓展”兩大目標(biāo)，推動(dòng)代工業(yè)務(wù)轉(zhuǎn)型。盡管市場曾傳出三星可能退出代工的猜測，但公司明確表示將持續(xù)投資，力求憑借技術(shù)整合能力成為行業(yè)標(biāo)桿。