HBM4 時代內存巨頭加速混合鍵合技術導入，產品最快明年亮相

IT之家 5 月 8 日消息，韓媒《朝鮮日報》在當地時間昨日的報道中表示，兩大韓系 DRAM 內存原廠三星電子和 SK 海力士都正在考慮將混合鍵合技術引入下一代 HBM 內存 —— HBM4 中。

消息人士透露，三星電子預計最早將于明年的 HBM4 內存中采用混合鍵合，而 SK 海力士可能會在稍晚的 HBM4E 中導入；美光和其它企業則計劃考慮導入有凸塊鍵合的迭代版本：無助焊劑鍵合。

相較于現有 HBM 內存使用的有凸塊鍵合，無凸塊的混合鍵合有利于降低 HBM 內存堆棧的層高，支持更多堆疊層數，同時其也具備電氣性能上的優勢，可實現更出色的傳輸速率。

IT之家注意到，半導體設備廠商 Besi 在其今年 4 月公布的年報文件中表示，采用混合鍵合技術的 HBM 內存雖然會較此前預期晚一年，但仍會在 2026 年以 16Hi HBM4 (E) 的形式面世。