英特爾談 Intel 14A 可能使用 High NA EUV：兩種光刻技術設計規則兼容

IT之家 4 月 30 日消息，英特爾并未在 2025 Intel Foundry Direct Connect（英特爾代工大會）上明確其 Intel 14A 先進節點是否會引入 High NA EUV 光刻技術，不過代工部門高管納加?錢德拉塞卡蘭還是就相關議題發表了看法。

他表示，英特爾仍有在 14A 制程的 EUV 光刻步驟中僅使用傳統 Low NA 或部分導入 High NA 的選項。而這兩種方案在設計規則上是兼容的，這意味著無論英特爾選擇哪條技術路徑，都不會對客戶造成影響。

英特爾已在其俄勒岡州研發晶圓廠安裝了第二套 ASML 提供的 High NA EUV 光刻系統，表現符合預期。英特爾的 High NA EUV 圖案化技術開發正穩步向量產邁進，同時已掌握了 High NA EUV 在 18A、14A 級節點的數據。